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AC-Transformer-RHB: 邏輯 + ReRAM 3D晶片
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核心優勢及晶片亮點
- 採用CMOS與ReRAM整合工藝，將AI運算晶片與ReRAM記憶體進行堆疊，並在架構上進行針對性的創新設計，有效降低大模型部署的系統功耗及系統成本
- 利用針對3D邏輯-ReRAM堆疊為大模型架構量身打造的軟硬件協同設計技術，如近記憶體處理、低位元量化、投機解碼，實現75~80%的外部存取壓縮率
- 從二維到三維，高密度AI運算核心的全域佈線長度減少超過50%，而三維佈線則使ReRAM與運算單元之間的連線長度減少85%
- 基於協同設計方法論和自研工具鏈，在多核心架構上實現高效的記憶體管理，以及資料流調度與指令並行性
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晶片參數
| Process node | 55nm LL |
| Metal stack | 1P9M_8Ic_1TMc_ALPA1 |
| Voltage | Core: 1.2V; I/O: 2.5V |
| Data Precision | A: INT8/INT16*/INT32* W: INT8/INT4 |
| MAC# (in main array) | 4,096 |
| Process clock (MHz) | 250 |
| Peak performance (TOPS) | 2 |
| Equiv. NAND2 gates | 10M |
| SRAM Size | 3.4MByte |
| IPs | PLL, ARM M0 |
| Face-to-face bump# | 2912 |
| Bonding pads | 324 |
| Clock domain | 4 |
| Die size | 7mm x 8mm |
| ReRAM Capacity | 8MByte |
| ReRAM Bandwidth | 25.6Gbyte/s (256byte/cycle @100MHz) |
| Package Size | 23mm x 23mm |
