Sections
Left Column
Right Column
Text Area
AC-Transformer-RHB: 逻辑 + ReRAM 3D芯片
Text Area
核心优势与芯片亮点
- 采用CMOS和ReRAM集成工艺，将AI计算芯片与ReRAM存储进行堆叠，并在架构上进行针对性地创新设计，有效降低大模型部署的系统功耗以及系统成本
- 利用针对3D 逻辑-ReRAM堆叠为大模型架构量身定制的软硬件协同设计技术，如近存储处理、低比特量化、投机解码，实现75~80%的外部访存压缩率
- 从二维到三维，高密度AI计算核心的全局布线长度减少超过50%，而三维布线则使ReRAM与计算单元之间的连线长度减少85%
- 基于协同设计方法论和自研工具链，在多核架构上实现高效的内存管理以及数据流调度与指令并行性
Text Area
芯片参数
| Process node | 55nm LL |
| Metal stack | 1P9M_8Ic_1TMc_ALPA1 |
| Voltage | Core: 1.2V; I/O: 2.5V |
| Data Precision | A: INT8/INT16*/INT32* W: INT8/INT4 |
| MAC# (in main array) | 4,096 |
| Process clock (MHz) | 250 |
| Peak performance (TOPS) | 2 |
| Equiv. NAND2 gates | 10M |
| SRAM Size | 3.4MByte |
| IPs | PLL, ARM M0 |
| Face-to-face bump# | 2912 |
| Bonding pads | 324 |
| Clock domain | 4 |
| Die size | 7mm x 8mm |
| ReRAM Capacity | 8MByte |
| ReRAM Bandwidth | 25.6Gbyte/s (256byte/cycle @100MHz) |
| Package Size | 23mm x 23mm |
